晶盛机电周末通过其微信公众号透露，公司成功研发了8英寸导电型SiC（碳化硅）晶体，晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代。消息披露后，晶盛机电8月15日开盘后股价持续走高，收盘涨幅12%。

多位采访对象告诉记者，今年以来，我国SiC行业喜讯连连，包括扩建厂房、接大订单、尺寸越做越大……汽车等下游用户缺芯问题或能缓解。

8英寸SiC研发新突破

晶盛机电透露，此次研发成功的8英寸SiC晶体，厚度25mm，直径214mm，是大尺寸的重大突破。此次不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。

消息发布后，8月15日，晶盛机电股价大涨。

SiC具有“高硬度、高脆性、低断裂韧性”特性，晶体生长过程中很容易发生开裂等问题。相关设备供应商邑文科技副总经理叶国光接受上证报采访时表示，“晶盛机电能成功研发8英寸SiC晶体，是一个很大突破。”

民生证券机械行业首席分析师李哲接受采访时表示，SiC晶体生长是采用升华法，制造效率、尺寸瓶颈明显。晶盛机电研发出8寸片，表明其制造工艺水平已到国内先进水平。

SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，其中导电型SiC一般用于做电力电子器件，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。

晶盛机电证券部门人士透露，目前该项技术是实验室阶段的研发成果，到量产还有很长的一个过程。后续会根据工艺成熟度，送样给下游客户试用。

邑文科技副总经理叶国光则表示，上述研究成果没有披露关键的材料缺陷数据，而这一数据决定了它能做简单器件还是高端器件，因而无法做出更深的评价。

晶盛机电主营业务是光伏和半导体领域的晶体生长及加工设备、蓝宝石材料和碳化硅材料的研发、生产和销售。公司通过自主开发的设备、热场和工艺技术，不断延伸产品系列。2017年，公司开始布局SiC业务，2020年建立长晶和加工中试线，做出来的SiC晶体直径也从最初的4英寸增大到如今的8英寸。

民生证券李哲表示，晶盛机电掌握先进晶体生长工艺，已经在光伏及半导体硅片、蓝宝石等领域证明了自身技术实力。它又较早地推出了SiC的6寸、8寸片，布局较为前瞻。预计未来两年，其SiC设备及衬底、外延片有望逐步出货，成为公司新的增长极。

中国6英寸SiC开始量产

SiC是功率器件的优质衬底材料。随着光伏、锂电需求日益增长，其需求也处于高速增长期。因而各国都非常重视SiC产业的商业化。

海外方面，目前Wolfspeed已投入10亿美元建新工厂，并在今年4月开始生产8英寸SiC等产品；罗姆旗下SiCrystal预计2023年左右开始量产8英寸SiC衬底；Soitec在今年3月启动了新晶圆厂建设计划，并在5月发布了8英寸碳化硅衬底产品。

我国8英寸SiC材料还在研发阶段，尚未量产。此次晶盛机电报喜之前，烁科晶体、中科院物理所等企业和单位也成功研发了8英寸SiC单晶。

集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄表示，8英寸是降低SiC功率元件成本的重要途径，被业界给予高度关注。目前全球不少SiC衬底厂商相继推出了相关样品，但仅有美国Wolfspeed一家步入量产。

民生证券李哲认为，我国SiC4/6寸片已在量产中，8寸片产业化预计仍需要时间。

我国6英寸的SiC材料已经步入量产阶段。天岳先进前不久披露，2023年至2025 年，公司及公司全资子公司上海天岳半导体材料有限公司将向合同对方销售6 英寸导电型碳化硅衬底产品，合计金额为13.93亿元。该金额约为天岳先进2021年营业收入的2.8倍。这意味着中国导电型SiC衬底产业驶入快车道。汽车等下游用户也可以吃下“定心丸”，相关产品产能供应问题或将得到缓解。

晶盛机电6英寸SiC产品也在快速量产。今年3月，公司在宁夏开工建设了一期年产40万片6英寸以上的导电型、绝缘型SiC衬底产能。另外据透露，他们获得了意向SiC衬底订单，3年内将优先向客户提供SiC衬底合计不低于23万片。