2021年净利润增长21倍,这个增速在目前的半导体板块中,绝对是当之无愧的王者。
取得这个成绩的是功率IDM龙头士兰微(600460),21倍的增速也是公司近10年交出的最好答卷。
在日前公布的年报中,士兰微对公司的快速增长做出了解释,将其归功于下游需求的增长,但市场对公司经营情况的好奇心显然不止于此。
4月1日,21世纪经济报道记者向士兰微进一步求证业绩增长原因,相关负责人印证了一些市场判断,“主要还是产品结构优化和产能扩张方面,可以说IDM模式让公司受益。”
本期“21硬核投研”针对士兰微,从业绩、模式、风口和订单四个维度进行分析。
业绩
士兰微成立于1997年,于2003年上市。
公司早期以IC设计业务为主,采用Fabless(无芯片制造)模式,随后经营模式转向以IDM(设计与制造一体)为主,目前主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED(发光二极管)产品等三大类。
2021年,士兰微迎来业绩爆发期,实现营业总收入71.94亿元,较上年增长68.07%;归属于母公司股东的净利润为15.18亿元,较上年增长2145.25%;拟每10股派发现金红利1.00元(含税)。
在2020年,士兰微还是亏损状态。
实现扭亏为盈,并数十倍增长,士兰微将业绩归功于主营业务上产品结构优化及产能增长。
士兰微称,2021年完成年初制定的芯片制造和封装产能建设目标,产品在白电、通讯、工业、光伏、新能源汽车等高门槛市场取得突破;电源管理芯片、MEMS传感器、IPM(智能功率模块)、MOSFET、IGBT、SBD、TVS、FRD、LED等产品的营业收入大幅增长,产品结构持续优化,产品综合毛利率显著改善,营业利润大幅度增加。
其次,子公司士兰集昕公司8英寸芯片生产线基本保持满产,产品综合毛利率提高至20.70%;另一子公司士兰明芯公司LED芯片生产线公司实现满产、高产,产品综合毛利率提高至16.88%,上述两公司均实现全年盈利。
值得一提的是,2021年士兰微持有的其他非流动金融资产增值贡献了超5.8亿元的净利,占总利润超38%。具体得益于士兰微持股的安路科技在科创板上市,导致净利润增加5.3亿元;持股的视芯科技2021年引入外部投资者,使得净利润增加5229万元。
非流动性金融资产对士兰微利润影响,在去年第四季度业绩里体现得最为直观。2021年公司15.18亿元净利润中,前三季度净利润共7.28亿元。这意味着,在第四季度公司净利润接近7.9亿元,超过前三季度总和,主要就是因安路科技上市,当期确认公允价值变动收益较多。
此外值得注意的是,近10年,士兰微归母净利润从未超过2亿元,最高的一年也仅有1.7亿元。梳理此前公司业绩不佳原因,多是研发投入、项目建设、折旧、投建产能尚未进入收获期等。
今年1月,士兰微曾向媒体介绍称,“公司IDM模式比较偏重的资产属性,其利润的波动跟公司所处的发展阶段有较强的关联性,前些年公司在产品技术研发、产线建设等方面持续进行高强度的投入,导致各项成本费用增加较快,而收入结构的改善和收入增长需要一个较长的过程才能体现。总体来看前期的投入已经逐步取得成效。”这或从根本上解释了公司业绩爆发的原因。
模式
4月1日,21世纪经济报道记者向士兰微进一步求证业绩增长原因,相关负责人表示,“主要还是产品结构优化和产能扩张方面,可以说IDM模式让公司受益。”
士兰微近日发布的投资者调研活动上也介绍了IDM模式对公司的影响。
“相比于涨价,公司重点在技术和规模的提升上,这是IDM公司的优势,可以不断提高规模和快速技术迭代。”董事会秘书、财务总监陈越说。
而在缺芯环境下,士兰微的这种IDM模式优势尽显。
该模式包含芯片设计、晶圆制造、封装测试等业务环节,轻资产经营模式Fabless需要找代工,缺芯潮下面临供不应求和涨价风险,而IDM模式半导体企业设计生产能力的适应性更强,交货周期更短,产能供应更稳定且较少受外部影响。
首创证券指出,在2020年芯片供应紧张期间,以IDM模式运行的国内功率半导体厂商MOS货期可维持在3个月左右,为Fabless企业的一半,且在国际形势趋严的大背景下,“自给自足”的IDM厂商不必依赖海外代工厂,IDM模式的时效性及独立性优势尽显。因此IDM厂商利润增速显著高于Fabless厂商。
另一方面,士兰微还拥有相对完整的产线类型,旗下设立多个子公司清晰布局半导体产业链里的设计、制造、封测各个环节。
据悉,士兰微IC设计环节工作主要由总部承担。
晶圆制造环节工作主要由士兰集成、士兰集昕、士兰集科和士兰明镓子公司负责,定位5&6英寸兼容产线、8英寸产线、12英寸特色工艺产线、4&6英寸兼容的化合物产线。外延片生产由成都士兰负责。封测环节工作主要由成都集佳负责。此外,士兰明芯负责LED芯片设计和生产,美卡乐光电负责LED封装。
2021年士兰集成实现营收16.6亿元,处于满负荷生产状态,总计产出5、6英寸芯片255.44万片,比上年增加7.54%。8英寸线上,士兰集昕总计产出65.73万片,比上年增加14.90%,实现营业收入11.55亿元,比上年增加39.32%。附加值高的高压超结MOS管、高密度低压沟槽栅MOS管、大功率IGBT、MEMS传感器、BCD电路等多个产品实现大批量生产。
值得一提的是,近年士兰微正积极布局12英寸线。
12英寸是当前主流市场中最大的晶圆尺寸,其产线资本投入大、技术壁垒高、建设达产周期长,因此士兰微与厦门半导体共同投资设立的项目公司士兰集科,作为公司12英寸晶圆产线建设的主要阵地。
目前一期产能建设完成,去年士兰集科月产超过3.6万片,全年产出超过20万片。今年2月底,士兰微还与大基金二期牵手共同出资8.85亿元,认缴士兰集科新增注册资本8.27亿元,增资价款将用于“24万12英寸高压集成电路和功率器件芯片技术提升及扩产”项目。
风口
外部环境的变化也是刺激业绩增长的重要因素。
分业务看,2021年士兰微业绩爆发的底层逻辑是功率半导体下游需求的高景气度。
在公司三大产品中,士兰微分立器件产品占比最高。公司相关负责人对21世纪经济报道记者介绍,“功率器件和分立器件是有一定差别,但公司功率器件是分立器件的一大部分。”
年报显示,去年士兰微分立器件实现营业收入为38.13亿元,同比增长73.08%,毛利率为32.89%,同比增长8.89%。
分立器件产品中,公司MOSFET、IGBT、IGBT大功率模块(PIM)、肖特基管、稳压管、开关管、TVS管、快恢复管等产品的增长较快,其中超结MOSFET、IGBT、FRD、高性能低压分离栅MOSFET等为代表的功率半导体分立器件产品性能达到业内领先的水平。
2021年,受益于消费电子、新能源汽车、变频家电等行业复苏,功率半导体供不应求,引发涨价潮,成为半导体领域景气度最高的细分领域之一。
据信达证券研报分析,目前新能源汽车领域,功率半导体用量约为350美金,是传统燃油车的5倍左右。变频家电领域,单机功率半导体价值可达9.5欧元,相比非变频家电增长近13倍。
士兰微表示,其分立器件和大功率模块除了加快在白电、工业控制等市场拓展外,已开始加快进入新能源汽车、光伏等市场,预期今后公司的分立器件产品营收将继续快速成长。
据21世纪经济报道记者了解,士兰微目前在变频空调领域已享有知名度,客户囊括美的、格力等白电龙头,且公司当前向新能源汽车市场拓展,车用IGBT模块已交付上汽、北汽等国内知名厂商测试,开始小批量供货。
放眼未来,从研发项目看,士兰微正在重点瞄准新能源汽车产业发展的契机。
具体来看,士兰微未来产品与技术聚焦于先进的车规和工业级电源管理产品;车规和工业级功率半导体器件与模块技术(含化合物SiC和GaN的芯片设计、制造、封装);MEMS传感器产品与工艺技术;车规和工业级的信号链混合信号处理电路;光电系列产品。
不过,士兰微相关负责人对本报记者坦言,“新能源汽车是比较长期规划,是公司主要方向之一,但目前营收收入还是比较少的。”
订单
士兰微年报披露的新能源相关突破中,最受市场期待的当属IGBT。IGBT在新能源汽车功率半导体中占比约八成,是汽车电动化最受益的细分领域。三方机构曾预测,2025年中国新能源车销量将达到654万辆,渗透率为21%,有望带动中国新能源汽车IGBT市场由2020年的27.3亿元增长到2025年的112.6亿元。
据英飞凌官网披露信息,2019年士兰微在全球IGBT器件的市场份额为2.2%,排名前十。士兰微2021年上半年IGBT器件收入达1.9亿元,同比增长110%。
年报显示,2021年士兰微自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已通过国内多家客户测试,并给部分客户批量供货。据科创板日报去年底报道,比亚迪已经正式下单士兰微车规级IGBT,订单金额达亿元级。
士兰微方面对客户订单问题表示,“涉及具体客户不好回应,不知道市场的风是从哪里吹出来的。”
但有私募机构研究人员看好士兰微IGBT供货前景,“整车厂青睐IDM模式厂商,因为IDM厂商不但能够自主、高效保障产能,而且也省去验证其他产业链公司的环节;其次,士兰微产能规模在国内靠前。获得大客户背书后,士兰微车规级IGBT有望迎来爆发式增长。”
在4月1日公布的投资者调研上,士兰微谈及集成电路板块的规划和战略,也称重点会在车规和工业级电源管理产品、功率IC、信号链和混合信号处理电路、MEMS传感器等。
从项目布局看,2022年在士兰微还在汽车领域推进“汽车级和工业级功率模块和功率集成器件封装生产线建设项目一期”扩大对功率器件、功率模块封装产线投入。该项目总投资为7.58亿元,建设期2年,达产期2年,目前项目进度为27%。
此外,士兰微还在上游材料延伸布局,着力于SiC(碳化硅)器件和模块量产。
SiC是高温、高频、高压、大功率以及耐辐射应用场合下极为理想的半导体材料,SiC功率器件可显著降低电子设备的能耗,使新能源汽车的系统效率更高。
据年报介绍,士兰微SiC功率器件的中试线已在去年上半年实现通线,车规级SiC-MOSFET将要送客户评价并开始量产,正在建设中的6英寸SiC功率器件芯片生产线,预计在2022年三季度实现通线。
士兰微曾对媒体谈及IGBT和SiC市场前景,其认为在汽车应用上,碳化硅确实有一定的优势,但目前成本非常高,短期内实现产业化困难较大,其产量方面也满足不了汽车的增长需求。“所以IGBT是未来是主流,国际大厂包括英飞凌在内,公认IGBT和碳化硅未来是一个组合。”
(作者:张赛男,谢韫力 编辑:李新江)
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